三星电子3纳米制程技术已正式流片三星电子日前宣布,3纳米制程技术已经正式流片,据悉,三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极,gate,all,around,GAA,晶体管架构,性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管,FinFET,架构,三星电子表示,因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具,该公...。
更新时间:2024-12-03 22:22:39
山东网络台
鱼鳞病治疗医院
西西软件园
混沦云职(成都)科技发展有限责任公司
防爆门,防爆墙,防爆门厂家
河南安洛云信息科技有限公司
瑞翔恒宇
山东维度农牧科技有限公司
环保资讯网
玮玉教程网
上海艺术合子美术学校
临沂信邦生物科技有限公司